Samsung annuncia nuove S-RAM e tecnologia Briticell

 

Tempi di novità hardware in casa Samsung, il colosso coreano impegnato in molteplici fronti del settore mobile. La prima di queste riguarda lo sviluppo di nuove S-Ram con processo produttivo a 10nm FinFET. Si tratta di memorie Ram statistiche, con capacità di 128 MB e una cella con area pari a 0.040 µm2. Rispetto alle attuali con processo produttivo a 14 nm, il risparmio in termini di spazio fisico è del 37.5%. La produzione di massa non entrerà in vigore fino ai primi mesi del 2017, tra i benefici noti si dovrebbe registrare una riduzione di consumi e una maggiore velocità di trasmissione dati. Non ci sono ancora SoC compatibili con questo tipo di tecnologia.

Ben più vicino sarà essere il debutto di Britecell, una nuova tecnologia che troveremo all’interno del reparto fotografico dei prossimi top di gamma e probabilmente del Galaxy S7. In termini pratici questa innovazione porterà una migliore gestione della luce in ambienti poco luminosi: pixel più piccoli, meno artefatti e fonti di luce sfocate. Stando a quanto dichiarato da Kyushik Hong, responsabile del team marketing, la riduzione dei pixel diminuirà la grandezza del sensore, che passerà da 6 mm a 5mm, permetterà di creare smartphone più sottili e con una sensibilità della luce di 1.12μm. Non mancherà Samsung Smart WDR, un’altra tecnologia tutta coreana che volgerà l’attenzione sui dettagli dell’immagine utilizzando un’esposizione multipla e un autofocus a rilevamento di fase.

Secondo gli ultimi rumors, il Samsung Galaxy S7 dovrebbe fare il suo debutto il prossimo 21 febbraio, a ridosso del Mobile World Congress 2016 di Barcellona.

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